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J-GLOBAL ID:201802277678552575   整理番号:18A0118343

イオンプレーティング法GZOシード層上へのZnOナノロッドのCBD成長とZnOナノロッド/PEDOT:PSSヘテロ構造の形成

Chemical Bath Deposition of ZnO Nanorods on Ion-plating GZO Seed Layers and Formation of ZnO/PEDOT:PSS Heterojunctions
著者 (6件):
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巻: 117  号: 334(OME2017 35-48)  ページ: 37-42  発行年: 2017年11月24日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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イオンプレーティング法ZnO:Ga(GZO)シード層上に硝酸亜鉛六水和物及びヘキサメチレンテトラミンの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD)によって垂直配向ZnOナノロッド(NRs)群が成長された。平均幅と平均長ともに成長時間40minまでは急激に上昇するが,その後緩やかに変化した。ZnO NRsに働く応力は,成長時間とともに圧縮応力から引っ張り応力に転じ,その後再び圧縮応力に戻るという複雑な挙動を示した。フォトルミネッセンス(PL)スペクトルでは,格子間酸素原子によるブロードなオレンジ色(OB)発光が支配的であった。正孔輸送性PEDOT:PSS層が,ZnO NRs上にスピンコーティング法によって堆積後,アニーリングを施すことで形成された。PEDOT:PSS/ZnO NRs/GZOヘテロ接合において整流性が観察された。(著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (15件):

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