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J-GLOBAL ID:201802277975282545   整理番号:18A2209624

化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成

Chemical Bath Deposition of ZnO Nanorods on GZO Seed Layers and Formation of PEDOT:PSS/ZnO Nanorods Heterojunctions
著者 (7件):
資料名:
巻: 118  号: 330(ED2018 32-52)  ページ: 55-60  発行年: 2018年11月22日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンとの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によってイオンプレーティング法Ga添加ZnO(GZO)シード層上に垂直配向ZnOナノロッド(NRs)が堆積された。溶媒に用いる純水の純度がNRsの軸方向及び直径方向の成長速度に影響を及ぼし,これに伴いNRs内の応力やフォトルミネッセンス特性の成長時間依存性の違いを引き起こすことが明らかになった。さらにZnO NRs層上にPEDOT:PSSをスピンコーティングで堆積することで作製されたPEDOT:PSS/ZnO NRs/GZOヘテロ接合において整流作用及び光電流が観察された。(著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 
引用文献 (13件):

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