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J-GLOBAL ID：201802278784030481   整理番号：18A1700455

AlGaN/GaN界面準位が分極接合基板上p-MOSFETの電流特性に与える影響

著者 (8件)： 鶴田脩真 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (九大) ,  大橋弘通 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21a-331-12  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MOSFET ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  表面準位 ,  二次元電子ガス ,  *電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  二次元正孔ガス ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *pチャネルMOSFET ,  *界面準位

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  界面準位 ,  分極 ,  MOSFET