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J-GLOBAL ID：201802278908385069   整理番号：18A1790882

有機金属気相エピタクシーにより成長させた近赤外光ルミネセンスを発光するn面(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)GaN/InN/GaN二重ヘテロ構造

N-face (000<span style=text-decoration:overline>1</span>) GaN/InN/GaN double heterostructures emitting near-infrared photoluminescence grown by metalorganic vapor phase epitaxy

著者 (3件)： AKASAKA Tetsuya (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SCHIED Monika (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KUMAKURA Kazuhide (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 8  ページ： 081001.1-081001.5  発行年： 2018年08月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNバッファとキャップ層でサンドイッチされた30nm厚のInN層から成るN面(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)二重ヘテロ構造(DH)を有機金属気相エピタクシーにより成長させた。高いInN成長温度は,595~675°Cの温度範囲で良好な発光特性を得るために必要である。InN層(675°C)よりもGaNキャップ層(550°C)に対する低い成長温度を用いることにより,83Kの測定温度で,急峻なヘテロ界面,及び0.75eV付近に強いバンド端光ルミネセンスをもつ,高品質N面(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)GaN/InN/GaN DHを作製することができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *近赤外線 ,  *光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  *窒化インジウム ,  *素子構造 ,  温度 ,  特性 ,  界面 ,  発光 ,  *結晶面 ,  バッファ層 ,  保護膜 ,  サンドイッチ構造
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  成長温度 ,  発光特性 ,  ヘテロ界面 ,  バンド端発光 ,  キャップ層 ,  温度範囲

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (40件)：

• G. Bhuiyan, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, J. Appl. Phys. 94, 2779 (2003).
• V. W. L. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994).
• J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
• T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002).
• A. G. Bhuiyan, K. Sugita, K. Kasashima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, and V. Y. Davydov, Appl. Phys. Lett. 83, 4788 (2003).

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  近赤外光 ,  ルミネセンス ,  GaN ,  InN ,  ヘテロ構造