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J-GLOBAL ID：201802279215655873   整理番号：18A1932651

InGaZnO薄膜トランジスタのSrTa_2O_6誘起低電圧動作【JST・京大機械翻訳】

SrTa₂O₆ induced low voltage operation of InGaZnO thin-film transistors

著者 (8件)： Takahashi Takanori (National Institute of Technology, Tsuruoka College, Tsuruoka 997-8511, Japan) ,  Takahashi Takanori (Nara Institute of Science and Technology, Ikoma 630-0192, Japan) ,  Hoga Takeshi (National Institute of Technology, Tsuruoka College, Tsuruoka 997-8511, Japan) ,  Miyanaga Ryoko (Nara Institute of Science and Technology, Ikoma 630-0192, Japan) ,  Fujii Mami N. (Nara Institute of Science and Technology, Ikoma 630-0192, Japan) ,  Ishikawa Yasuaki (Nara Institute of Science and Technology, Ikoma 630-0192, Japan) ,  Uraoka Yukiharu (Nara Institute of Science and Technology, Ikoma 630-0192, Japan) ,  Uchiyama Kiyoshi (National Institute of Technology, Tsuruoka College, Tsuruoka 997-8511, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 665  ページ： 173-178  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高k非晶質SrTa_2O_6(STA)薄膜を,薄膜トランジスタ(TFT)におけるゲート絶縁体のためのrfマグネトロンスパッタリングによって首尾よく蒸着した。41.8の高い誘電率,4.58eVの広いバンドギャップ,および~10~8A/cm2の低い漏れ電流を有する実用的なSTA薄膜を,最適スパッタリング条件によって得た。チャネルとしての非晶質InGaZnO(IGZO)とゲート絶縁体としてのSTAを有するTFTを作製し,移動特性に及ぼすゲート絶縁体の薄化効果を調べた。70nm厚のSTAを有するIGZO-TFTは,高性能スイッチング特性を達成した。(移動度14.9cm~2/(V ・s),閾値電圧0.6V,サブ閾値スイング111mV/10年,オン/オフ比1.0×10~10)。これらの特性は4.6×10~7F/cm2の大きなゲート容量とSTAの使用からの低いゲート漏れ電流によるものである。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  マグネトロンスパッタリング ,  移動度 ,  非晶質 ,  チャネル ,  ゲート絶縁膜 ,  誘電率 ,  バンドギャップ ,  スパッタリング ,  *薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  閾値電圧 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *低電圧
準シソーラス用語： サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高誘電率 ,  ストロンチウム酸化タンタル ,  インジウムガリウム亜鉛オキシド ,  薄膜トランジスタ ,  スパッタリング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： トランジスタ ,  誘起 ,  低電圧