文献

J-GLOBAL ID：201802279823882584   整理番号：18A0827664

走査型プローブ顕微鏡(非線形誘電率顕微鏡)を用いたデバイス観察

High Resolution Characterizations of Semiconductor Device Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy

著者 (1件)： 長康雄 (東北大学電気通信研究所)
資料名： 表面と真空  (Vacuum and Surface Science)
巻： 61  号： 4  ページ： 221-226(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： G0194B  ISSN： 2433-5835  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 走査型非線形誘電顕微鏡(SNDM)はドーパント型(pn)を容易に区別でき,10~22Fのオーダーの静電容量変化に対して高い感度を有するので,低濃度から高濃度のドーパントに対して広いダイナミックレンジの感度を有する。これはSiよりもはるかに低い信号レベルをもつ化合物半導体の分析にも適用できる。dC/dV信号の二値関数(コントラスト反転)問題から誤判断を避けることができる。SNDMの拡張版として,超高次SNDM,局所深準位過渡分光法を開発し紹介した。SNDMの好ましい特徴は,その有意に高い感度に由来する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *走査型プローブ顕微鏡 ,  *半導体素子 ,  空乏層 ,  *容量電圧特性 ,  太陽電池 ,  ドーパント ,  深準位過渡分光法 ,  状態密度 ,  MOS構造 ,  *誘電率 ,  *顕微鏡観察 ,  *走査型非線形誘電率顕微鏡 ,  シリコン太陽電池 ,  界面状態密度
準シソーラス用語： *半導体デバイス ,  DLTS法 ,  界面準位密度

著者キーワード (4件)： 走査型非線形誘電顕微鏡 ,  半導体装置 ,  走査型非線形誘電顕微鏡 ,  半導体装置

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B)

引用文献 (8件)：

• 1) Y. Cho, A. Kirihara and T. Saeki : Rev. Sci. Instrum. 67, 2297 (1996).
• 2) Y. Cho : Jpn. J. Appl. Phys. 56, 100101 (2017).
• 3) K. Hirose, K. Tanahashi, H. Takato and Y. Cho : Appl. Phys. Lett. 111, 032101 (2017).
• 4) N. Chione, T. Nakamura and Y. Cho : J. Appl. Phys. 116, 084509 (2014).
• 5) K. Hirose, Y. Goto, N. Chinone and Y. Cho : Jpn. J. Appl. Phys. 55, 08NB13 (2016).

タイトルに関連する用語 (5件)： 走査型プローブ顕微鏡 ,  非線形 ,  誘電率 ,  顕微鏡 ,  観察