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J-GLOBAL ID：201802281622505877   整理番号：18A0631987

放射光光電子分光法によるGaN上GaO_x層の熱脱離過程の評価

著者 (8件)： 野崎幹人 (大阪大 大学院) ,  寺島大貴 (大阪大 大学院) ,  渡邉健太 (大阪大 大学院) ,  山田高寛 (大阪大 大学院) ,  吉越章隆 (原子力発電技術機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-C302-7  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲート絶縁膜 ,  シンクロトロン放射 ,  *二酸化ケイ素 ,  *酸化ガリウム ,  *スパッタ蒸着 ,  内殻準位 ,  *X線光電子スペクトル ,  熱処理 ,  *熱脱着 ,  化合物半導体 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： シンクロトロン放射光 ,  熱脱離

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 放射光 ,  光電子分光法 ,  GaN ,  熱脱離 ,  過程 ,  評価