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J-GLOBAL ID：201802284098117635   整理番号：18A1700629

ナノビームX線回折法による改良型NaフラックスGaNバルク単結晶の深さ方向結晶構造解析

著者 (9件)： 志田和己 (大阪大 大学院) ,  山本望 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  隅谷和嗣 (JASRI) ,  今井康彦 (JASRI) ,  木村滋 (JASRI) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21p-146-7  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *フラックス法 ,  ナトリウム ,  単結晶 ,  ビーム ,  *X線回折 ,  結晶構造解析 ,  微小亀裂 ,  ファセット ,  走査電子顕微鏡 ,  転位【結晶】 ,  *X線ナノビーム ,  格子欠陥

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノビーム ,  X線回折法 ,  Na ,  フラックス ,  GaN ,  バルク ,  単結晶 ,  深さ方向 ,  結晶構造解析