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J-GLOBAL ID：201802285421070062   整理番号：18A1028707

超高次走査非線形誘電顕微鏡を用いたリン注入エミッタとリン拡散エミッタにおけるキャリア分布の二次元解析【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional analysis of carrier distribution in phosphorus-implanted emitter and phosphorus-diffused emitter using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy

著者 (5件)： Hirose Kotaro (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan) ,  Tanahashi Katsuto (Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan) ,  Takato Hidetaka (Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan) ,  Chinone Norimichi (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan) ,  Cho Yasuo (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リン(P)注入エミッタとP拡散エミッタにおける二次元キャリア分布を,超高次走査非線形誘電顕微鏡(SHO-SNDM)を用いて解析した。キャリア分布を明確に可視化し,較正試料を用いて定量した。p型,n型および空乏層を,SHO-SNDM測定から得られた局所容量-電圧特性化から識別した。n型領域と空乏層分布は表面組織に依存した。p-n接合の位置は空乏層のp型領域近くで推定した。n型領域と空乏層分布はP拡散エミッタよりもP注入エミッタにおいてより厚かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 次元解析 ,  *二次元 ,  PN接合 ,  表面構造 ,  可視化 ,  *顕微鏡 ,  *走査 ,  空乏層 ,  *リン
準シソーラス用語： *キャリア分布 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  誘電体測定技術・装置  (BM05020Q) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 走査 ,  非線形 ,  顕微鏡 ,  リン ,  注入 ,  エミッタ ,  拡散 ,  キャリア分布 ,  次元解析