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J-GLOBAL ID：201802286203998526   整理番号：18A0631988

SiO₂/GaN MOSデバイスの信頼性向上に向けた界面酸化層の制御

著者 (11件)： 山田高寛 (大阪大 大学院) ,  寺島大貴 (大阪大 大学院) ,  渡邉健太 (大阪大 大学院) ,  野崎幹人 (大阪大 大学院) ,  山田永 (産業技術総合研) ,  高橋言諸 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  吉越章隆 (原子力発電技術機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-C302-8  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  MOSFET ,  *パワーエレクトロニクス ,  *二酸化ケイ素 ,  *熱酸化 ,  *ゲート絶縁膜 ,  劣化 ,  プラズマCVD ,  *薄膜コンデンサ ,  *容量電圧特性 ,  電圧 ,  光電子スペクトル ,  内殻準位 ,  *界面 ,  酸化層 ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： MOSキャパシタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  GaN ,  MOSデバイス ,  信頼性向上 ,  界面 ,  酸化層