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J-GLOBAL ID：201802286625340884   整理番号：18A0118715

DCスパッタ法を用いて蒸着されたITO薄膜の微細構造と電気光学特性に及ぼすスパッタリングパワーの役割

Role of sputtering power on the microstructural and electro-optical properties of ITO thin films deposited using DC sputtering technique

著者 (3件)： Kosarian A. (Department of Electronic and Electrical Engineering, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran) ,  Shakiba M. (Department of Electronic and Electrical Engineering, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran) ,  Farshidi E. (Department of Electronic and Electrical Engineering, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran)
資料名： IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering  (IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering)
巻： 13  号： 1  ページ： 27-31  発行年： 2018年01月 
JST資料番号： W1854A  ISSN： 1931-4973  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,スパッタリングパワーが堆積速度に及ぼす影響,ならびにインジウムスズ酸化物(ITO)薄膜の微細構造,電気的および光学的特性が調査されている。ITO薄膜は,外部の加熱されていないガラス基板上に60~140Wの異なるDC電力の直流(DC)マグネトロンスパッタリングを用いてガラス基板上に堆積された。全てのサンプルは,圧力の破壊的な役割を低減するために最小限の持続可能なプラズマ圧力で成長させた。スパッタされたITO膜の微細構造,電気的および光学的特性は,X線回折(XRD),原子間力顕微鏡(AFM),四探針電気伝導度および分光分析によって系統的に特徴付けられた。XRD研究は,立方晶ビックスバイトITO構造を確認し,調製された薄膜の主な優先配向は,(222),(400),(440),および(622)であった。AFM分析は,140Wで堆積された膜の最小表面粗さが1.37nmであったが,粒子の平均サイズは65±5nmであった。堆積時間は全てのサンプルで10分に固定し,膜のAFM特性はそれぞれ60,100及び140Wで堆積したサンプルについて170,230及び250nmの厚さを示した。シート抵抗とITO薄膜のXRDパターンの変化から,試料の比I₂₂₂/I₄₀₀が単一性に近づくにつれて,層のシート抵抗が減少すると結論づけられた。外部加熱されていない基板上に100Wの直流電力および32mTorrの動作圧力で成長させた薄膜について,最小シート抵抗16Ω/平方,厚さ230nmの透過率85%,および光学バンドギャップ4.09eVが見出された。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *蒸着膜 ,  *酸化インジウムスズ ,  *微細構造 ,  *X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  *顕微鏡観察 ,  *シート抵抗 ,  *透過率 ,  *光学ギャップ ,  堆積速度 ,  表面構造 ,  電気抵抗率 ,  可視スペクトル ,  紫外スペクトル ,  薄膜成長
準シソーラス用語： DCマグネトロンスパッタリング ,  紫外可視スペクトル

著者キーワード (6件)： DCスパッタされたITO薄膜 ,  XRD ,  A FM ,  シート抵抗 ,  transmittance ,  光学バンドギャップ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (25件)：

• Rozati SM, Ganj T. Transparent conductive Sn-doped indium oxide thin films deposited by spray pyrolysis technique. Renewable Energy 2004; 29(10):1671-1676.
• Alam MJ, Cameron DC. Optical and electrical properties of transparent conductive ITO thin films deposited by solgel process. Thin Solid Films December 2000; 377-378(1):455-459.
• Viespe C, Nicolae I, Sima C, Grigoriu C, Medianu R. ITO thin films deposited by advanced pulsed laser deposition. Thin Solid Films 2007; 515(24):8771-8775.
• Hussain SQ, Oh W, Ahn S, Le AHT, Kim S, Lee Y, Yi J. RF magnetron sputtered indium tin oxide films with high transmittance and work function for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells. Vacuum 2014; 101:18-21.
• Hwang S, Park C. The electrical and optical properties of Al-doped ZnO films sputtered in an Ar:H2 gas radio frequency magnetron sputtering system. Transactions on Electrical and Electronic Materials 2010; 11(2):81-84.

タイトルに関連する用語 (8件)： DCスパッタ法 ,  蒸着 ,  ITO薄膜 ,  微細構造 ,  光学特性 ,  スパッタリング ,  パワー ,  役割