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J-GLOBAL ID：201802288756636235   整理番号：18A1520327

シリコン基板上に形成したCuと無電解めっきCoWB障壁膜の相互拡散特性の評価

Evaluation of the interdiffusion properties of Cu and electroless-plated CoWB barrier films formed on silicon substrate

著者 (8件)： ISERI Takaki (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  SHINDO Shusuke (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  MIYACHI Yuto (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  HIRATE Atsushi (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMIZU Tomohiro (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  ITO Takeshi (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  TANAKA Shukichi (National Inst. of Information and Communications Technol., Kobe, JPN) ,  SHINGUBARA Shoso (Kansai Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 7S2  ページ： 07MB02.1-07MB02.6  発行年： 2018年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *銅 ,  無電解めっき ,  *相互拡散 ,  *コバルト化合物 ,  *タングステン化合物 ,  *ホウ化物 ,  バイアホール ,  集積回路 ,  透過型電子顕微鏡 ,  基板 ,  ケイ素 ,  金属薄膜 ,  *Schottky障壁
準シソーラス用語： ビア【基板】 ,  三次元集積回路

分類 (1件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L)

引用文献 (32件)：

• M. Koyanagi, T. Fukushima, and T. Tanaka, Tech. Dig. Int. 3D System Integration Conf., 2008, p. 31.
• E. Beyne, IEEE Int. Interconnect Technology Conf., 2006, p. 1.
• L. W. Schaper, S. L. Burkett, S. Spiesshoefer, G. V. Vangara, Z. Rahman, and S. Polamreddy, IEEE Trans. Adv. Packag. 28, 356 (2005).
• E. Beyne, IEDM Tech. Dig., 2001, S23-P3.
• X. Wu, IEEE Int. 3D Systems Integration Conf., 2015, p. 1.

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン基板 ,  Cu ,  無電解めっき ,  障壁 ,  相互拡散 ,  評価