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J-GLOBAL ID：201802289249663049   整理番号：18A1700482

Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子

著者 (11件)： 坂根駿也 (大阪大 大学院) ,  柏野真人 (大阪大 大学院) ,  渡辺健太郎 (大阪大 大学院) ,  鎌倉良成 (大阪大 大学院) ,  鎌倉良成 (JST-CREST) ,  森伸也 (大阪大 大学院) ,  森伸也 (JST-CREST) ,  藤田武志 (JST-CREST) ,  藤田武志 (高知工科大) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21a-438-7  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *熱電材料 ,  *半導体材料 ,  金 ,  ドーピング ,  Ramanスペクトル ,  X線回折 ,  電子プローブX線分析 ,  結晶化
準シソーラス用語： *SiGe

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Au ,  SiGe ,  バルク ,  熱電材料 ,  出力因子