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J-GLOBAL ID：201802290274117277   整理番号：18A1059363

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの絶縁破壊特性に及ぼす円形電極コーナーの影響

Impact of rounded electrode corners on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors

著者 (4件)： YAMAZAKI Taisei (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  ASUBAR Joel T. (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  TOKUDA Hirokuni (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KUZUHARA Masaaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 5  ページ： 054102.1-054102.5  発行年： 2018年05月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの破壊特性に及ぼす丸い電極コーナーの影響を調べた。標準的な参照デバイスに対して,壊滅的な破壊が鋭い電極コーナーの近くで主に発生した。円形電極アーキテクチャを導入することにより,コーナーでの早期破壊が軽減された。さらに,増加するゲート幅(W_G)による破壊電圧(V_BR)劣化の比率は,円形コーナを有するデバイスでは著しく低かった。W_Gが100μmから10mmまで増加したとき,参照デバイスのV_BRは1,200から300Vまで劇的に低下したが,一方,円形電極装置のV_BRは,わずか730V値に減少しただけであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *絶縁耐力 ,  電極 ,  円形 ,  幅
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *高電子移動度トランジスタ ,  絶縁破壊強度 ,  ゲート幅

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (38件)：

• L. F. Eastman and U. K. Mishra, IEEE Spectrum 39 [5], 28 (2002).
• J. Baliga, Semicond. Sci. Technol. 28, 074011 (2013).
• M. Van Hove, X. Kang, S. Stoffels, D. Wellekens, N. Ronchi, R. Venegas, K. Geens, and S. Decoutere, IEEE Trans. Electron Devices 60, 3071 (2013).
• J. Würfl, O. Hilt, E. Bahat-Treidel, R. Zhytnytska, K. Klein, P. Kotara, F. Brunner, A. Knauer, O. Krüger, M. Weyers, and G. Tränkle, ECS Trans. 52 [1], 979 (2013).
• Z. Tang, Q. Jiang, Y. Lu, S. Huang, S. Yang, X. Tang, and K. J. Chen, IEEE Electron Device Lett. 34, 1373 (2013).

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  絶縁 ,  破壊特性 ,  円形 ,  コーナー