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J-GLOBAL ID：201802293883605674   整理番号：18A0698511

DFN8×8パッケージの「Super J MOS S2シリーズ」と「Super J MOS S2FDシリーズ」

“Super J MOS S2 Series” and “Super J MOS S2FD Series” for DFN 8×8 Packages

著者 (3件)： SHIMATO Takayuki (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  WATANABE Sota (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  MATSUMOTO Kazunori (Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 63  号： 4  ページ： 242-245  発行年： 2017年12月30日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 富士電機はスーパージャンクション構造を持つ第2世代低電力損失SJ-MOSFETである「Super J MOS S2シリーズ」と「Super J MOS S2FDシリーズ」のDFN8×8パッケージのラインアップを発売した。この表面実装パッケージは,以前のD2-PACKパッケージよりも小さく薄い。DFN8×8パッケージはリード端子を持たず,すべての電極パッドはその背面に配置した。D2-PACKと比較して,実装面積を58%,パッケージ高さを0.85mmにまで削減し,高密度実装を可能にした。スイッチング動作高速化のためのサブソース端子も標準装備になっている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  表面実装 ,  高密度実装 ,  スイッチング ,  スイッチング損失 ,  エネルギー密度 ,  *電源装置
準シソーラス用語： 電力密度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• Tamura, T. et al. ′′Super J-MOS′′ Low Power Loss Superjunction MOSFETs. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2012, vol.58, no.2, p.79-82.
• Tamura, T. et al. ′′Reduction of Turn- off Loss in 600 V-class Superjunction MOSFET by Surface Design′′. PCIM Asia 2011, p.102-107.
• Watanabe, S. et al.′′ A Low Switching Loss Superjunction MOSFET ′′Super J-MOS′′ by Optimizing Surface Design′′ PCIM Asia 2012, p.160-165.
• Oonishi, Y. et al. Superjunction MOSFET. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2010, vol.56, no.2, p.65-68.
• Watanabe, S. et al. 2nd-Generation Low-Loss SJ-MOSFET ′′Super J MOS S2 Series′′. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2015, vol.61, no.4, p.276-279.

タイトルに関連する用語 (2件)： パッケージ ,  MOS