特許
J-GLOBAL ID：201803000069931850

半導体装置

発明者：
丹羽 隆樹

丹羽 隆樹 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-191047
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056348
出願日： 2016年09月29日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：
【課題】半導体装置における閾値電圧の変動を抑制する。【解決手段】半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層に接して形成され、窒化物半導体層に向かうにつれて平均窒素濃度が高くなる濃度傾斜部を有する酸化絶縁膜と、酸化絶縁膜を挟んで窒化物半導体層とは反対側において、酸化絶縁膜に接するゲート電極と、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体装置であって、 窒化物半導体層と、 前記窒化物半導体層に接して形成され、前記窒化物半導体層に向かうにつれて平均窒素濃度が高くなる濃度傾斜部を有する酸化絶縁膜と、 前記酸化絶縁膜を挟んで前記窒化物半導体層とは反対側において、前記酸化絶縁膜に接するゲート電極と、 を備える、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (10件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 C ,  H01L21/316 M ,  H01L21/318 M ,  H01L21/318 A ,  H01L21/318 B
Fターム (10件)：
5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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