半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-082173
公開番号（公開出願番号）：特開2018-129542
出願日： 2018年04月23日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第1のゲート電極と、第1のゲート電極上の第1の絶縁層と、第1の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第2の絶縁層と、第2の絶縁層上の第2のゲート電極とを有し、第1のゲート電極は、第1の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第2のゲート電極は、第2の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第2の絶縁層上に設けられ、第1の領域は、第2のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第2の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第1の領域における第2の絶縁層は、第2の領域における第2の絶縁層よりも薄い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上のトランジスタと、前記トランジスタ上の第1の無機絶縁層と、前記第1の無機絶縁層上の有機樹脂層と、前記有機絶縁層上の第2の無機絶縁層と、前記第2の無機絶縁層上の画素電極と、を有し、前記トランジスタは、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、ソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、前記有機樹脂層は、前記チャネル形成領域全体と重なる第1の領域と、前記第1の領域よりも膜厚の厚い第2の領域と、を有し、前記基板から前記第2の領域の表面までの高さは、前記基板から前記第1の領域の表面までの高さよりも大きく、前記画素電極は、前記第1の領域及び前記第2の領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/02

FI (8件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L29/78 616S , H01L29/78 616T , H01L29/78 612D , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/02

Fターム (80件)：

2H192AA24 , 2H192BC31 , 2H192CB05 , 2H192CB08 , 2H192CB37 , 2H192CB45 , 2H192CB54 , 2H192CB71 , 2H192CC04 , 2H192CC42 , 2H192DA12 , 2H192DA71 , 2H192EA06 , 2H192EA42 , 2H192EA66 , 2H192EA67 , 2H192EA74 , 2H192HA44 , 2H192HA47 , 2H192HA82 , 2H192HA84 , 2H192HA88 , 2H192HA90 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC31 , 3K107CC36 , 3K107DD90 , 3K107DD95 , 3K107DD96 , 3K107EE04 , 3K107FF15 , 5F110AA02 , 5F110AA05 , 5F110AA07 , 5F110AA08 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG22 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HL08 , 5F110HL11 , 5F110HM02 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN42 , 5F110NN43 , 5F110NN45 , 5F110NN72 , 5F110QQ02 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

イメージセンサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-062542 出願人：シャープ株式会社
放射線撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-156640 出願人：富士フイルム株式会社
センサ及び非平面撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325368 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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