特許
J-GLOBAL ID：201803000852347215

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-047414
公開番号（公開出願番号）：特開2018-117144
出願日： 2018年03月15日
公開日（公表日）： 2018年07月26日
要約：
【課題】酸化物半導体膜を含むトランジスタを有する半導体装置において、安定した電気特性を付与し、高信頼性化を達成する。半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層され、ゲート電極層の側面に側壁絶縁層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、該側壁絶縁層は酸素過剰領域を有しており、第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜に酸素ドープ処理を行った後、第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の積層をエッチングすることによって形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体膜上に、ゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成し、 前記ゲート電極をマスクとして、前記酸化物半導体膜にリン、砒素、アンチモン、ホウ素、アルミニウム、タングステン、モリブデン、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、インジウム、ガリウム、フッ素、塩素、チタン、又は亜鉛を導入し、 前記ゲート電極を覆う絶縁膜を形成した後に、前記絶縁膜上から酸素を導入する半導体装置の作製方法であって、 前記酸素は、前記酸化物半導体膜に導入されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (9件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (9件)：
H01L29/78 616L ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/105 441 ,  H01L27/108 321 ,  H01L27/108 621Z ,  H01L27/108 671C ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78 371
Fターム (127件)：
5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA03 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40 ,  5F101BA01 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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