特許

J-GLOBAL ID：201803001112164784

金属酸化物、および電界効果トランジスタ

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-109440
公開番号（公開出願番号）：特開2018-061004
出願日： 2017年06月01日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：

【課題】新規な材料を提供する。【解決手段】金属酸化物を有する電界効果トランジスタであって、トランジスタのチャネル形成領域は、少なくとも2つの異なるエネルギーバンド幅を有する材料を有し、材料は、それぞれ0.5nm以上10nm以下のナノサイズの粒子を有し、ナノサイズの粒子は、モザイク状に分散または分布している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属酸化物を有する電界効果トランジスタであって、 前記トランジスタのチャネル形成領域は、 少なくとも2つの異なるエネルギーバンド幅を有する材料を有し、 前記材料は、それぞれ0.5nm以上10nm以下のナノサイズの粒子を有し、 前記ナノサイズの粒子は、モザイク状に分散または分布している、 ことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/363 ,  C23C 14/08

FI (4件)：

H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/363 ,  C23C14/08 K

Fターム (105件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029GA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH01 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN78

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体膜、半導体装置、並びに表示装置、モジュール及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-033086   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-020195   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置、撮像装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-208519   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-043762   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-109649   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所