特許

J-GLOBAL ID：201803001199211104

プラズマ処理方法

発明者： 中野 博彦 ,  寺井 弘和 ,  辻 理
出願人/特許権者： サムコ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-241424
公開番号（公開出願番号）：特開2018-098353
出願日： 2016年12月13日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
要約：

【課題】例えば、表面の少なくとも一部に銅が露出している対象物の表面から不要な有機物等を除去するにあたって、該露出部表面に銅酸化物が形成されたままとされることを回避することができる技術を提供する。【解決手段】表面の少なくとも一部に銅が露出している対象物9の該露出部表面の銅酸化物を還元処理するためのプラズマ処理方法であって、プラズマ処理室1の内部に対象物9を配置する配置工程と、プラズマ処理室1の内部に、水あるいは水を含む混合物をプラズマ原料として導入し、該プラズマ原料をプラズマ化する水プラズマ形成工程と、を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

表面の少なくとも一部に銅が露出している対象物の該露出部表面の銅酸化物を還元処理するためのプラズマ処理方法であって、 プラズマ処理室の内部に前記対象物を配置する配置工程と、 前記プラズマ処理室の内部に、水あるいは水を含む混合物をプラズマ原料として導入し、該プラズマ原料をプラズマ化する水プラズマ形成工程と、 を有する、プラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/304 ,  B08B 7/00

FI (4件)：

H01L21/302 102 ,  H05H1/46 M ,  H01L21/304 645C ,  B08B7/00

Fターム (28件)：

2G084AA03 ,  2G084AA07 ,  2G084BB11 ,  2G084CC12 ,  2G084CC33 ,  2G084DD02 ,  2G084DD15 ,  2G084DD24 ,  2G084FF12 ,  3B116AA03 ,  3B116AB01 ,  3B116BB89 ,  3B116BC01 ,  5F004AA14 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB13 ,  5F004DB28 ,  5F157AA35 ,  5F157AA64 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157BG33 ,  5F157BG34 ,  5F157BG36 ,  5F157BG37 ,  5F157DA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-132808   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 導電性塗膜の製造方法及び導電性塗膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-032605   出願人：戸田工業株式会社
• 金属堆積のために基板表面を設計するためのプロセスおよび統合システム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-526621   出願人：ラムリサーチコーポレーション
• プラズマ洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-038446   出願人：サムコ株式会社