窒化物半導体積層物および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：福岡昌浩 , 阿部廣美 , 橘高英郎 , 白鳥昌宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-247642
公開番号（公開出願番号）：特開2018-078315
出願日： 2017年12月25日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

【課題】半導体装置の長期的な信頼性を向上させることができる技術を提供する。【解決手段】基板と、基板上に設けられ、III族窒化物半導体からなる電子走行層と、電子走行層上に設けられ、III族窒化物半導体からなる電子供給層と、を有し、Crにより被覆された直径1mmのガラス球からなる測定子を用いて測定したときの、該測定子と電子供給層の表面とを引き寄せる引力として働く電子供給層の表面力Aは、同じ条件で測定したときのPtの表面力Bよりも強く、それらの差の絶対値|A-B|が30μN以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられ、III族窒化物半導体からなる電子走行層と、前記電子走行層上に設けられ、前記電子走行層よりも広いバンドギャップを有し、AlxInyGa1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)の組成式で表されるIII族窒化物半導体からなる電子供給層と、を有し、 Crにより被覆された直径1mmのガラス球からなる測定子を用いて測定したときの、該測定子と前記電子供給層の表面とを引き寄せる引力として働く前記電子供給層の表面力Aは、同じ条件で測定したときのPtの表面力Bよりも強く、それらの差の絶対値|A-B|が30μN以上である窒化物半導体積層物。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , H01L 21/66

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , H01L21/66 L

Fターム (42件)：

4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106BA20 , 4M106CA04 , 4M106CA56 , 4M106DH60 , 4M106DJ27 , 4M106DJ38 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC17 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF14 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045GB01 , 5F102FA09 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC07

引用特許：

審査官引用 (6件)

ドープIII-V族窒化物材料、ならびにそれを含む超小型電子デバイスおよびデバイス前駆体構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-581267 出願人：クリーインコーポレイテッド
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-097983 出願人：三菱電機株式会社
表面力測定方法および表面力測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-012876 出願人：株式会社エリオニクス

全件表示

前のページに戻る