特許
J-GLOBAL ID：201003008640542850
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-097983
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251456
出願日： 2009年04月14日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】電流コラプスを減少し耐圧を維持しつつ、オン抵抗を改善した、高電圧、高周波で動作する半導体装置を提供する。【解決手段】この発明にかかる半導体装置は、ヘテロ接合型の窒化物半導体装置であって、基板1上に形成されたチャネル層2と、チャネル層2上に形成された電子供給層3と、電子供給層3上に選択的に形成されたゲート電極5と、ゲート電極5を挟み離間して形成されたソース、ドレイン電極4a,4bと、ゲート電極5のドレイン電極側端部近傍を除く第1領域に形成され、当該第1領域に対応する二次元電子ガス濃度に作用する第1薄膜である薄膜8と、ゲート電極5のドレイン電極側端部近傍の第2領域に形成され、当該第2領域に対応する二次元電子ガス濃度に作用し、当該濃度を第1領域に対応するそれよりも低くする第2薄膜である薄膜6とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ヘテロ接合型の窒化物半導体装置であって、
基板上に形成された窒化物半導体からなるチャネル層と、
前記チャネル層上に形成された前記チャネル層よりも大きなバンドギャップを有する窒化物半導体よりなる電子供給層と、
前記電子供給層上に選択的に形成されたゲート電極と、
前記電子供給層上において、前記ゲート電極を挟み離間して形成されたソース、ドレイン電極と、
前記電子供給層上の前記ゲート電極の前記ドレイン電極側において、前記ゲート電極の前記ドレイン電極側端部近傍を除く第1領域に形成され、当該第1領域に対応する前記チャネル層、前記電子供給層界面に形成される二次元電子ガス濃度に作用する第1薄膜と、
前記電子供給層上において、前記ゲート電極の前記ドレイン電極側端部近傍の第2領域に形成され、当該第2領域に対応する前記チャネル層、前記電子供給層界面に形成される二次元電子ガス濃度に作用し、当該濃度を前記第1領域に対応するそれよりも低くする第2薄膜と、
を備える半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
H01L29/80 H
, H01L29/80 F
5F102FA01
, 5F102FA02
, 5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR07
, 5F102GR12
, 5F102GS01
, 5F102GS03
, 5F102GS06
, 5F102GT03
, 5F102GV05
, 5F102GV07
, 5F102GV08
, 5F102HC01
, 5F102HC07
, 5F102HC11
, 5F102HC15
, 5F102HC19
, 5F102HC21
