特許
J-GLOBAL ID：200903001968520743

ドープIII-V族窒化物材料、ならびにそれを含む超小型電子デバイスおよびデバイス前駆体構造

発明者：
フリン,ジェフリー,エス.

フリン,ジェフリー,エス. について

, 
ブランデス,ジョージ,アール.

ブランデス,ジョージ,アール. について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-581267
公開番号（公開出願番号）：特表2005-526384
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
デルタドープ層(24)および/またはドープ超格子を含むIII-V族窒化物超小型電子デバイス構造を開示する。デルタドーピング方法を開示し、該方法は、第1のエピタキシャル膜成長プロセスにより基板上に半導体材料を堆積するステップと、上記基板上の半導体材料の堆積を終了してエピタキシャル膜表面を与えるステップと、上記エピタキシャル膜表面で上記半導体材料をデルタドーピングして、その上にデルタドーピング層を形成するステップと、上記デルタドーピングを終了するステップと、第2のエピタキシャル膜成長プロセスで半導体材料の堆積を再開して上記デルタドーピング層上に半導体材料を堆積するステップと、上記半導体材料第2のエピタキシャル膜成長プロセスを所定の程度続行して、ドープ超小型電子デバイス構造を形成するステップとを含み、上記デルタドーピング層(24)が上記第1および第2のエピタキシャル膜成長プロセスで堆積された半導体材料内に内在化される。
請求項（抜粋）：
デルタドープ層を含む、III-V族窒化物超小型電子デバイス構造。
IPC (6件)：
H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L29/72 H
Fターム (44件)：
5F003BB01 ,  5F003BB02 ,  5F003BF06 ,  5F003BP08 ,  5F003BP23 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045CA07 ,  5F045DA57 ,  5F045DA63 ,  5F045EE12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL20 ,  5F102GM04 ,  5F102GN09 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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