シリコン単結晶の引き上げ方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-352711
公開番号（公開出願番号）：特開平10-167892
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】 CZ法による直径200mm以上のシリコン単結晶の製造において、所望の酸素濃度で、かつ、軸方向酸素濃度分布の均一なシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。【解決手段】単結晶とるつぼとを互いに逆方向に回転させ、結晶回転速度を8〜16rpmの範囲でるつぼ回転速度の2倍以上の値とする。るつぼ回転速度を、単結晶の直胴部成長開始端から軸方向に沿って直胴部全長の10%以内の部分において最小とし、その後、8rpmを上限として徐々に増大させる。融液の上方に設けられた逆円錐台形状または円筒状のガス整流筒の下端と融液面との隙間を通過する際の不活性ガスの流速を、単結晶の直胴部成長開始端から軸方向に沿って直胴部全長の10%以内の部分において最小とし、その後、徐々に増大させる。このような制御により、低酸素濃度で、軸方向酸素濃度分布の均一なシリコン単結晶が得られる。

請求項（抜粋）：

融液の上方に逆円錐台形状または円筒状のガス整流筒を備えたシリコン単結晶引き上げ装置を用いて直径200mm以上のシリコン単結晶を製造する際に、前記単結晶とるつぼとを互いに逆方向に回転させ、結晶回転速度を8〜16rpmの範囲でるつぼ回転速度の2倍以上の値とすることを特徴とするシリコン単結晶の引き上げ方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 J , C30B 15/00 Z , H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-160893
シリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-236630 出願人：新日本製鐵株式会社, ニツテツ電子株式会社
特開平1-160893

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