特許
J-GLOBAL ID:201803001905542631

冗長性スキームを備えた発光ダイオードディスプレイ、及び統合欠陥検出検査を備えた発光ダイオードディスプレイを製造する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 田中 伸一郎 ,  弟子丸 健 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-160748
公開番号(公開出願番号):特開2018-010309
出願日: 2017年08月24日
公開日(公表日): 2018年01月18日
要約:
【課題】ディスプレイパネル及び製造の方法を提供する。【解決手段】ディスプレイ基板は、画素エリア及び非画素エリアを含む。サブ画素のアレイ及び対応する下部電極のアレイは、画素エリア内にある。マイクロLEDデバイスのアレイは、下部電極のアレイに接合される。1つ以上の上部電極層は、マイクロLEDデバイスのアレイに電気的に接触して形成される。一実施形態において、マイクロLEDデバイスの冗長ペアは、下部電極のアレイに接合される。一実施形態において、マイクロLEDデバイスのアレイは、不規則部分を検出するために撮像される。【選択図】図7
請求項(抜粋):
冗長性スキームを備えたディスプレイパネルであって、 サブ画素のアレイを含む画素エリアを含むディスプレイ基板と、 前記サブ画素のアレイ内の冗長マイクロLEDデバイスのペアのアレイであって、各サブ画素は冗長マイクロLEDデバイスのペアを含み、対応するサブ画素内の各冗長マイクロLEDデバイスのペアは同じ原色発光で発光するように設計され、各冗長マイクロLEDデバイスが、無機半導体系材料からなるp-nダイオード含む、冗長マイクロLEDデバイスのペアのアレイと、 前記冗長マイクロLEDデバイスのペアのアレイに電気的に接触した1つ以上の上部電極層と、 を備え、 前記サブ画素のアレイの中に前記冗長マイクロLEDデバイスのペアのアレイから1つ以上のマイクロLEDデバイスが欠落しており、 前記サブ画素のアレイは、第1のサブ画素のアレイと、第2のサブ画素のアレイと、第3のサブ画素のアレイと、を含み、前記第1、第2、及び第3のサブ画素のアレイは、異なる原色発光で発光するように設計されたことを特徴とする、冗長性スキームを備えたディスプレイパネル。
IPC (2件):
G09F 9/33 ,  H01L 33/48
FI (2件):
G09F9/33 ,  H01L33/48
Fターム (25件):
5C094AA22 ,  5C094BA25 ,  5C094CA24 ,  5C094DA09 ,  5C094DB01 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5C094JA08 ,  5F142AA34 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CB14 ,  5F142CB16 ,  5F142CB23 ,  5F142CB24 ,  5F142CD02 ,  5F142CD44 ,  5F142CE02 ,  5F142CE06 ,  5F142CE08 ,  5F142CE13 ,  5F142CG03 ,  5F142CG27 ,  5F142FA32 ,  5F142GA02
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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