特許
J-GLOBAL ID:200903096271787580
大型炭化ケイ素デバイスおよびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-543093
公開番号(公開出願番号):特表2005-509290
出願日: 2002年09月19日
公開日(公表日): 2005年04月07日
要約:
炭化ケイ素ウェハの少なくとも一部に同じタイプの複数の炭化ケイ素デバイスを所定のパターンで形成することによって炭化ケイ素デバイスが製造される。この炭化ケイ素デバイスは、炭化ケイ素ウェハの第1の面に対応する第1のコンタクトを有している。複数の炭化ケイ素デバイスに対して電気試験が実施され、その中から電気試験に合格したデバイスが識別される。次に、複数の炭化ケイ素デバイスのうち識別されたデバイスの第1のコンタクトが選択的に相互接続される。また、選択的に接続された複数の同じタイプの炭化ケイ素デバイスを有するデバイスが提供される。
請求項(抜粋):
同じタイプの複数の炭化ケイ素デバイスを所定のパターンで炭化ケイ素ウェハの少なくとも一部に形成するステップであって、該複数の炭化ケイ素デバイスが、対応する第1のコンタクトを前記炭化ケイ素ウェハの第1の面に有するものと、
前記複数の炭化ケイ素デバイスを電気試験して、前記複数の炭化ケイ素デバイスのうち電気試験に合格するデバイスを識別するステップと、
前記複数の炭化ケイ素デバイスのうちの前記識別されたデバイス間を相互接続するようにステッパマスクを選択的に適用することにより、前記複数の炭化ケイ素デバイスのうちの前記識別されたデバイスの前記第1のコンタクトを選択的に相互接続するステップと
を含むことを特徴とする炭化ケイ素デバイスを製造する方法。
IPC (4件):
H01L21/66
, H01L21/3205
, H01L21/822
, H01L27/04
FI (4件):
H01L21/66 B
, H01L21/66 Z
, H01L21/88 Z
, H01L27/04 T
Fターム (26件):
4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106BA14
, 4M106DJ38
, 5F033GG01
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH18
, 5F033QQ01
, 5F033QQ37
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR07
, 5F033UU01
, 5F033XX34
, 5F038AV04
, 5F038AV05
, 5F038CA14
, 5F038DT15
, 5F038DT17
, 5F038DT18
, 5F038EZ02
, 5F038EZ20
引用特許:
出願人引用 (14件)
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米国特許第5,061,972号明細書
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米国特許第6,011,279号明細書
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米国特許第6,121,633号明細書
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米国特許出願第09/723,710号
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米国特許出願第09/878,442号
-
米国特許出願第09/911,995号
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米国特許第5,264,713号明細書
-
米国特許第5,270,554号明細書
-
米国特許第5,506,421号明細書
-
米国特許第5,539,271号明細書
-
米国特許第5,686,737号明細書
-
米国特許第5,719,409号明細書
-
米国特許第5,831,288号明細書
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米国特許第5,969,378号明細書
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審査官引用 (8件)
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-282141
出願人:株式会社東芝
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SiC縦型半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-295577
出願人:新日本無線株式会社
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特開平4-206578
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-169233
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
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半導体装置の試験方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-172121
出願人:富士通株式会社
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特開昭64-074751
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特開平4-206578
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特開昭64-074751
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