半導体装置の製造方法およびそれに用いられる露光マスク

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阪本朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-055980
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183141
特許番号：特許第6248401号
出願日： 2013年03月19日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】スクライブパターンが描画された露光マスクにおいて、前記スクライブパターンは、該スクライブパターンの最外周にある2本の前記スクライブパターンが交差する部分のさらに外周側に延在する突出部を有し、前記突出部の長さが100μmにマスクの倍率を掛けた値以上であることを特徴とする露光マスク。

IPC (3件)：