特許
J-GLOBAL ID:201803002543725984

半導体パッケージ基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-124633
公開番号(公開出願番号):特開2017-228692
出願日: 2016年06月23日
公開日(公表日): 2017年12月28日
要約:
【課題】半導体チップが搭載される側のビルトアップ層数がもう一方の面側よりも多い非対称な構造であっても、反りが少なく、半導体素子及び印刷配線板との高い接続信頼性を有し、かつ、効率的に製造できる半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】第一主面及び第二主面を有する半導体パッケージ基板であって、コア基板と、コア基板の第一主面側及び第二主面側に設けられ、配線層及び絶縁樹脂層よりなる回路配線層とを備え、第一主面側に形成された配線層の層数が、第二主面側に形成された配線層の層数よりも多く、第一主面側の配線層の厚みが、第二主面の配線層の厚みよりも薄く、第一主面側に形成された回路配線層の層間を導通するためのビア径が、第二主面側に形成されたビア径よりも小さく、第一主面側に形成された絶縁樹脂層の総厚みと、第二主面側に形成された絶縁樹脂層の総厚みとが等しい、半導体パッケージ基板。【選択図】図2(h)
請求項(抜粋):
半導体チップが搭載される第一主面と、印刷配線板と電気的に接続するための外部接続端子が形成される第二主面とを有する半導体パッケージ基板であって、 コア基板と、 前記コア基板の前記第一主面側及び前記第二主面側に設けられ、配線層及び絶縁樹脂層よりなる回路配線層とを備え、 前記第一主面側に形成された配線層の層数が、前記第二主面側に形成された配線層の層数よりも多く、 前記第一主面側の配線層の厚みが、前記第二主面の配線層の厚みよりも薄く、 前記第一主面側に形成された回路配線層の層間を導通するためのビア径が、前記第二主面側に形成されたビア径よりも小さく、 前記第一主面側に形成された絶縁樹脂層の層数と、前記第二主面側に形成された絶縁樹脂層の層数とが等しく、 前記第一主面側には、前記第一主面の最表面から突出する突起状電極が設けられることを特徴とする、半導体パッケージ基板。
IPC (1件):
H01L 23/12
FI (2件):
H01L23/12 N ,  H01L23/12 501B
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る