特許
J-GLOBAL ID：200903016564262098

半導体装置用パッケ-ジ

発明者：
飯島 隆廣

飯島 隆廣 について

, 
六川 昭雄

六川 昭雄 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015995
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216289
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 工数を削減でき、コストの低減化が図れる半導体装置用パッケージを提供する。【解決手段】 コア基板31の一方の面側の各配線パターン32、42、50が、各絶縁層38、44を貫通して設けられたビア穴40、47の内壁面に形成されたビアめっき皮膜41、48を介して電気的に接続されて、コア基板31の一方の面側の最外層の配線パターンが50が搭載される半導体チップの端子と電気的に接続される配線パターンに形成され、コア基板31の他方の面の配線パターン33上に複数層の絶縁層39、45が形成され、コア基板31の他方の面側の最外層の絶縁層45上に外部接続用端子55を形成する配線パターン54が形成され、コア基板31の他方の面の配線パターン33と外部接続端子55を形成する配線パターン54とが、コア基板31の他方の面側の複数層の絶縁層39、45を貫通して設けられたビア穴53の内壁面に形成されたビアめっき皮膜56を介して電気的に接続されていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
コア基板の両面に、コア基板を貫通する導体部を介して電気的に接続する配線パターンが形成され、該コア基板の一方の面の配線パターン上に、複数層の配線パターンが絶縁層を介して形成され、前記コア基板の一方の面側の各配線パターンが、前記各絶縁層を貫通して設けられたビア穴の内壁面に形成されたビアめっき皮膜を介して電気的に接続されて、該コア基板の一方の面側の最外層の配線パターンが、搭載される半導体チップの端子と電気的に接続される配線パターンに形成され、前記コア基板の他方の面の配線パターン上に複数層の絶縁層が形成され、該コア基板の他方の面側の最外層の絶縁層上に外部接続用端子を形成する配線パターンが形成され、前記コア基板の他方の面の配線パターンと前記外部接続端子を形成する配線パターンとが、前記コア基板の他方の面側の複数層の絶縁層を貫通して設けられたビア穴の内壁面に形成されたビアめっき皮膜を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
FI (2件)：
H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 E
引用特許：
審査官引用 (4件)
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