特許

J-GLOBAL ID：201803002600728790

電力用半導体装置

発明者： 藤野 純司 ,  石原 三紀夫 ,  新飼 雅芳 ,  原田 啓行
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾 ,  吉澤 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-059440
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093244
出願日： 2018年03月27日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：

【課題】大電流に対応した、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】セラミック基板2と、一面に電極(例えば、3a、3e)が形成され、他面がセラミック基板2に接合された電力用半導体素子3と、一端側が電極に接合され、他端側が外部と電気接続されるリード端子62と、リード端子62の電極に接合された部分とともに電力用半導体素子3を封止する封止体7と、を備え、リード端子62の一端側の端部62eに、端部62eに向かうにつれセラミック基板2から遠ざかる傾斜面62tが形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

回路基板と、 一面に電極が形成され、他面が前記回路基板に接合された電力用半導体素子と、 一端側が前記電極に接合され、他端側が外部と電気接続されるリード端子と、 前記リード端子の前記電極に接合された部分とともに前記電力用半導体素子を封止する封止体と、を備え、 前記リード端子の前記一端側の端部に、前記端部に向かうにつれ前記回路基板から遠ざかる傾斜面が形成されていることを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L25/04 C ,  H01L23/28 A ,  H01L23/12 C ,  H01L23/30 R

Fターム (7件)：

4M109AA01 ,  4M109CA02 ,  4M109CA05 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  4M109DB10 ,  4M109EC04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特許第6316412号
  
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-224706   出願人：三菱電機株式会社
• 電子部品における電極の接続構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-227517   出願人：株式会社豊田自動織機
• 電子機器装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-166869   出願人：三菱電機株式会社