特許
J-GLOBAL ID：201803002726326760

半導体装置

発明者：
ファイヒティンガー, トーマス

ファイヒティンガー, トーマス について

, 
リナー フランツ

リナー フランツ について


出願人/特許権者：
エプコス アクチエンゲゼルシャフト

エプコス アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-543365
特許番号：特許第6250691号
出願日： 2013年10月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 1つの半導体デバイス(7)と、 1つの担体基板(14)であって、当該担体基板上に前記半導体デバイス(7)が取り付けられており、当該担体基板(14)は、1つのセラミック体(4)と、当該セラミック体(4)と直に接続されている、前記担体基板に一体化された1つのサーミスタセンサパターン(3)とを備え、前記セラミック体(4)及び前記サーミスタセンサパターン(3)が、一緒に製造されており、かつモノリシックなセラミック部を形成している、担体基板と、 その上に前記担体基板が取り付けられている1つのヒートシンク(1)と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/34 ( 200 6.01) ,  H01L 23/36 ( 200 6.01) ,  H01L 23/13 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 23/34 D ,  H01L 23/36 C ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 J
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (7件)
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