特許
J-GLOBAL ID：201003009989211947
温度センサパターンを備えた発光ダイオードチップとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (6件)：
水尻 勝久
, 竹尾 由重
, 坂口 武
, 北出 英敏
, 時岡 恭平
, 木村 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-247604
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192871
出願日： 2009年10月28日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】本発明は温度センサパターンを備えた発光ダイオードチップとその製作方法を提供する。【解決手段】本発明は基板と、前記基板上に成型した半導体構造と、前記半導体構造に隣接した絶縁層と、前記絶縁層に隣接した温度センサパターンとを備えている。その内、半導体構造はn型半導体層、半導体活性層及びp型半導体層で構成される。従って、該温度センサパターンは発光ダイオードチップの構造内に直接形成され、一層正確でリアルタイムな温度検知データを提供することができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に設置された半導体構造と、
前記半導体構造に隣接された絶縁層と、
前記絶縁層に隣接された温度センサパターンとを含み、
その内、前記半導体構造は、n型半導体層、半導体活性層及びp型半導体層で構成されるものを含むことを特徴とする温度センサパターンを備えた発光ダイオードチップ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA46
, 5F041CA74
, 5F041CB31
, 5F041DA07
, 5F041DA09
, 5F041DA41
, 5F041DA55
