特許

J-GLOBAL ID：201803003230650602

ナノリソグラフィーマスクの製造方法

発明者： ナヴァロ, クリストフ ,  アルグー, マクシム ,  シュバリエ, ザビエル ,  タイロン, ラルカ ,  ガルビ, アーメド
出願人/特許権者： アルケマ フランス ,  コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
代理人 (1件)： 園田・小林特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-024900
公開番号（公開出願番号）：特開2018-117132
出願日： 2018年02月15日
公開日（公表日）： 2018年07月26日
要約：

【課題】エッチングされる表面上に被着されたPS-b-PMMAブロックコポリマーフィルムからナノリソグラフィーマスクを製造する方法を提供する。【解決手段】コポリマーフィルム20がエッチングされる表面10に対して垂直に向けられたPMMAナノドメイン21を備え、コポリマーフィルムに部分照射して、コポリマーフィルムに第1の照射範囲及び第2の非照射範囲を形成する工程(E1)、次にコポリマーフィルムを現像剤溶媒中で処理して、コポリマーフィルムの第1の照射範囲の少なくともPMMAナノドメインを選択的に除去する工程(E2)を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エッチングされる表面(10)上に被着されたPS-b-PMMAブロックコポリマーフィルム(20)からナノリソグラフィーマスクを製造する方法において、前記コポリマーフィルムは前記エッチングされる表面に対して垂直に向けられたPMMAナノドメイン(21)を備え、以下の: -前記コポリマーフィルムに部分照射する工程(E1)であって、前記コポリマーフィルムに第1の照射範囲及び第2の非照射範囲を形成する工程、次に -前記コポリマーフィルムを現像剤溶媒中で処理する工程(E2)であって、前記コポリマーフィルムの前記第1の照射範囲の少なくとも前記PMMAナノドメイン(21)を選択的に除去する工程 を含むことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  H01L21/312 D

Fターム (10件)：

5F058AA10 ,  5F058AC07 ,  5F058AD08 ,  5F058AF04 ,  5F058AG03 ,  5F058AG04 ,  5F058AG06 ,  5F058AG09 ,  5F058AH10 ,  5F146AA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ナノパターン形成方法、ナノパターン形成材料および電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-084993   出願人：株式会社東芝
• パターン形成材料、多孔質構造体の製造方法、パターン形成方法、電気化学セル、中空糸フィルター、多孔質カーボン構造体の製造方法、キャパシタの製造方法、および燃料電池の触媒層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-169263   出願人：株式会社東芝
• 半導体基板の埋設分離領域を形成する方法及び埋設分離領域をもつ半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-018863   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• イオン液体を有するブロック共重合体膜の自己組織化における長距離秩序を改善する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-500847   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.