特許
J-GLOBAL ID：201803004718435316
多結晶シリコン反応炉
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-204802
公開番号（公開出願番号）：特開2018-065717
出願日： 2016年10月19日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
要約：
【課題】ヒータによるシリコン芯棒の加熱を短時間に行うことができ、高純度の多結晶シリコンを生成可能な多結晶シリコン反応炉を提供する。【解決手段】炉内に設けられた複数のシリコン芯棒31を通電加熱し、炉内に供給した原料ガスを反応させて、シリコン芯棒31表面に多結晶シリコンを生成させる多結晶シリコン反応炉100であって、炉内中央部にシリコン芯棒31を加熱可能なヒータ4を備え、ヒータ4よりも炉内の外周側にシリコン芯棒31を備え、ヒータ4は、シリコン芯棒31の上下方向に沿って複数段のヒータ小棒41,42を組み合わせて形成されたヒータ芯棒40を有しており、下段側のヒータ小棒41は、上段側に配置されるヒータ小棒42よりも炉内の外周側に配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炉内に設けられた複数のシリコン芯棒を通電加熱し、該炉内に供給した原料ガスを反応させて、前記シリコン芯棒表面に多結晶シリコンを生成させる多結晶シリコン反応炉であって、
炉内中央部に前記シリコン芯棒を加熱可能なヒータを備え、
前記ヒータよりも前記炉内の外周側に前記シリコン芯棒を備え、
前記ヒータは、前記シリコン芯棒の上下方向に沿って複数段のヒータ小棒を組み合わせて形成されたヒータ芯棒を有しており、
前記ヒータ芯棒において、下段側のヒータ小棒は、上段側に配置されるヒータ小棒よりも前記炉内の外周側に配置されていることを特徴とする多結晶シリコン反応炉。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4G072AA01
, 4G072BB03
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG04
, 4G072GG05
, 4G072HH07
, 4G072JJ01
, 4G072MM01
, 4G072NN14
, 4G072RR04
, 4G072RR11
, 4G072RR21
, 4G072RR28
, 4G072UU01
