特許
J-GLOBAL ID：201503057149025426
多結晶シリコンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-204626
公開番号（公開出願番号）：特開2015-024958
出願日： 2014年10月03日
公開日（公表日）： 2015年02月05日
要約：
【課題】シリコン芯線と他の導電部材の間での火花放電の発生を抑制し、多結晶シリコンの生産性の向上を図ること。【解決手段】シリコン芯線は単結晶シリコン又は多結晶シリコンの円柱形状のインゴットから切り出され(S101)、切断化工時に生じた残留歪を除去する目的で、取りしろが通常50μm〜200μm程度となるようなフッ酸と硝酸の混酸溶液によるエッチング処理が行われ(S102)、そのエッチングの後に多結晶シリコンの析出反応に用いられる(S103)。エッチング処理の工程でシリコン芯線表面に厚い酸化膜が形成され、これが火花放電を引き起こす原因となる。そこで、本発明では、シリコン芯線をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングして表面の加工歪みを除去する工程に続いて、シリコン芯線の表面をフッ酸溶液で洗浄して表面酸化膜を除去する工程(S104)を備える。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
シーメンス法による多結晶シリコンの析出反応工程に先立ち行われる表面処理工程であって、
シリコンインゴットより切り出して得たシリコン芯線をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングする第1の処理工程と、
該第1の処理工程後のシリコン芯線の表面をフッ酸溶液で洗浄して表面の自然酸化膜厚を1nm未満とする第2の処理工程と、
を備えている、多結晶シリコンの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072GG05
, 4G072HH09
, 4G072JJ01
, 4G072LL01
, 4G072MM01
, 4G072NN14
, 4G072RR04
, 4G072RR11
, 4G072UU02
