特許
J-GLOBAL ID：201803005878697216
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人あい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-159257
公開番号（公開出願番号）：特開2016-225644
特許番号：特許第6273329号
出願日： 2016年08月15日
公開日（公表日）： 2016年12月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 トレンチゲート型MISトランジスタが形成されるアクティブ領域と、前記アクティブ領域を取り囲む非アクティブ領域とを備え、前記アクティブ領域および前記非アクティブ領域に跨って形成されたゲートトレンチを含む、SiC基板からなる半導体層と、
前記ゲートトレンチの側面および底面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲートトレンチに埋め込まれたゲート電極と、
前記ゲート電極の少なくとも一部を覆うように前記半導体層の表面に形成された層間膜とを含み、
前記非アクティブ領域において、前記ゲート電極は、前記ゲートトレンチの開口端に形成された上部エッジにおいて前記半導体層の表面に、前記ゲート絶縁膜の一部であり、前記半導体層の表面に形成されている平面絶縁膜を介して重なるオーバーラップ部を選択的に有しており、
前記非アクティブ領域において、前記ゲート絶縁膜は、前記ゲートトレンチの側面上の側面絶縁膜および前記ゲートトレンチの底面上の底面絶縁膜を一体的に含み、前記側面絶縁膜は、前記上部エッジにおいて前記ゲートトレンチの内方のみに突出するように、当該側面絶縁膜の他の部分に比べて選択的に厚くなったオーバーハング部を含む、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/423 ( 200 6.01)
, H01L 29/49 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 652 Q
, H01L 29/78 652 C
, H01L 29/78 652 S
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 F
, H01L 29/58 G
