特許

J-GLOBAL ID：200903028096431306

半導体装置およびその製造方法

発明者： 脇本 節子 ,  藤島 直人 ,  蛭田 玲子
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384811
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188379
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ構造を有する半導体装置において、トレンチの終端コーナー部への電界集中を防ぎ、それによってデバイスの耐圧低下を防止すること。【解決手段】 トレンチ22を、その終端近傍部分23の幅がそれよりも中央寄りの胴部分24の幅よりも狭い平面形状とし、ドライエッチングによって終端近傍部分23を胴部分24よりも浅く形成するとともに、トレンチ終端コーナー部を丸くする。それによって、トレンチ終端コーナー部におけるゲート酸化膜やゲート電極の特異点をなくし、トレンチ終端コーナー部への電界集中を緩和するか、またはなくし、トレンチ終端コーナー部での耐圧低下を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたトレンチの内部、または側壁もしくは底部の付近に電流経路が設けられ、かつ前記トレンチの底面の一部もしくは全部、または前記トレンチの側壁の一部もしくは全部に沿って、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられた半導体装置において、前記トレンチの終端近傍部分の平面形状は、終端部に向かって細くなる先細り形状であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 655

FI (3件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 301 V

Fターム (19件)：

5F140AA19 ,  5F140AA25 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140AC24 ,  5F140BA01 ,  5F140BB04 ,  5F140BB06 ,  5F140BD18 ,  5F140BE11 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BF47 ,  5F140BF51 ,  5F140BF52 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-017969   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-032617   出願人：株式会社デンソー
• 縦型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-167665   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-131594   出願人：日産自動車株式会社