特許

J-GLOBAL ID：201803006228883240

磁気メモリスロット

発明者： ゴーダン,ギレス ,  ミロン,ヨアン ミハイ ,  ブール,オリヴィエ ,  チェナッツク ハイル,サフィール ,  ノジエール,ジーン-ピエール
出願人/特許権者： セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク ,  コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ
代理人 (2件)： 河野 英仁 ,  河野 登夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-537349
公開番号（公開出願番号）：特表2018-508983
出願日： 2016年01月13日
公開日（公表日）： 2018年03月29日
要約：

【解決手段】本発明は、薄層から形成された領域の積層体から構成されたパッド(30)を備えたメモリスロットに関し、メモリスロットは、非磁性の導電性材料から形成された第1の領域(40)と、パッドの主面に垂直な方向に磁化を示す磁性材料から形成された第2の領域(41)と、第1の領域の特性とは異なる特性の非磁性の導電性材料から形成された第3の領域(42)とを備えており、パッドは、選択された向きのプログラミング電流を流すように構成された導電性トラック(1) 上に載置されており、パッドは、薄層の面に垂直であって導電性トラックの中心軸に平行なあらゆる面とパッドの重心とに対して非対称の形状を有する。

請求項（抜粋）：

薄層の領域の積層体から形成されたパッド(30)を備えたメモリセルであって、 導電性材料から形成された第1の領域(40; 60)と、 前記パッドの主面に垂直な方向に磁化を示す磁性材料から形成された第2の領域(41)と、 前記第1の領域の特性とは異なる特性の非磁性材料から形成された第3の領域(42)と を備えており、 前記パッドは、選択された方向のプログラミング電流を循環させることができる導電性トラック(1) 上に一体化して載置されており、 前記パッドは、一方で前記薄層の面に垂直であって前記導電性トラックの中心軸に平行なあらゆる面に対して、他方で前記パッドの重心に対して非対称の形状を有し、 前記第2の領域の磁化の方向が、外部磁場が無い状態で、前記プログラミング電流の循環方向によってプログラミング可能であることを特徴とするメモリセル。

IPC (4件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/16

FI (4件)：

H01L27/105 447 ,  H01L43/08 P ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/16 100A

Fターム (21件)：

4M119AA03 ,  4M119AA20 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC06 ,  4M119DD06 ,  4M119DD22 ,  5F092AA08 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB43 ,  5F092BB71 ,  5F092BC42

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気記憶素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-521266   出願人：サントルナショナルドゥラルシェルシュシアンティフィク, コミサリアアレネルジィアトミークエオゼネルジイアルテアナティーフ, ユニヴェルシテジョセフフーリエ, インスティトゥートカタラデナノテクノロジア(アイシーエヌ), インスティトゥシオカタラーナデレセルカイエストゥディスアバンカツ(アイシーアールイーエー)
• 不揮発性磁気メモリ装置及びフォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-172122   出願人：ソニー株式会社
• 高速スピン移動トルク書き込み手順を備えた磁気素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-158416   出願人：クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
• 交換バイアスを有する磁気デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-129387   出願人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ