特許
J-GLOBAL ID：201103046422846330

高速スピン移動トルク書き込み手順を備えた磁気素子

発明者：
ジャン-ピエール・ノジエレ

ジャン-ピエール・ノジエレ について

, 
ベルナール・ディアン

ベルナール・ディアン について


出願人/特許権者：
クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム

クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム について


代理人 (3件)： 江崎 光史 ,  鍛冶澤 實 ,  清田 栄章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-158416
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023722
出願日： 2010年07月13日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：
【課題】 高速スピン移動トルク書き込み手順を備えた磁気素子を提供する。【解決手段】 固定磁化方向を有する基準層と、書き込み電流を磁気トンネル接合部に通過させることによって、基準層の磁化方向に対して調整可能な磁化方向を有する第1の記憶層と、前記基準層および第1の記憶層間に配置された絶縁層と、を含む磁気トンネル接合部であって、磁気トンネル接合部が、書き込み電流のスピンを、基準層の磁化方向に垂直に配向されるように偏極する偏極装置をさらに備えることを特徴とし、前記第1の記憶層が、磁化の切り替え時間が1ns〜100ns間に含まれる範囲になるような減衰定数を有する磁気トンネル接合部。改善された書き込み速度および従来のメモリ装置より低い電力消費を有する、開示の磁気トンネル接合部から形成された複数の磁気素子を備える磁気メモリ素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
固定磁化方向を有する基準層と、 書き込み電流を磁気トンネル接合部に通過させることによって、前記基準層の前記磁化方向に対して調整可能な磁化方向を有する第1の記憶層と、 前記基準層と第1の記憶層との間に配置された絶縁層と、 を備える磁気トンネル接合部であって、 前記磁気トンネル接合部が、前記書き込み電流のスピンを、前記基準層の前記磁化方向に垂直に配向されるように偏極する偏極装置をさらに備え、 前記第1の記憶層が、前記磁化の切り替え時間が1ns〜100ns間に含まれる範囲になるような減衰定数を有する磁気トンネル接合部。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01F 10/32
FI (4件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32
Fターム (30件)：
4M119AA03 ,  4M119AA05 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD42 ,  4M119DD44 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AA03 ,  5F092AB07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27
引用特許：
審査官引用 (5件)
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