特許
J-GLOBAL ID：201803006381423852
トランスデューサ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-161883
公開番号（公開出願番号）：特開2018-032896
出願日： 2016年08月22日
公開日（公表日）： 2018年03月01日
要約：
【課題】フリップチップ接続による音漏れ防止が可能となるトランスデューサ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】トランスデューサ装置において、第1の基板11は、通常の半導体装置の製造に使用されるシリコン基板を使用し、この第1の基板11の表面に絶縁膜を形成し、変換部23および信号処理回路24を搭載する。アコースティックポート19を取り囲むように例えばリング状の接合端子も同時に形成する。さらに、蓋部となる第2の基板31を用意し、変換部23と第1の基板11または第2の基板31との間に音漏れ防止用接合部28を備える。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
外部と内部を繋ぐための開口を有する第1の基板と、キャビティを有する第2の基板とを備え、前記開口と前記キャビティとの間に固定電極および可動電極を有する変換部を配置して、前記第1の基板と前記第2の基板を接合してなるトランスデューサ装置において、
前記第1の基板および前記第2の基板をシリコンとし、前記第1の基板または前記第2の基板のいずれか一方に、前記変換部をフリップチップ接続にて搭載し、前記変換部と該変換部を搭載した前記第1の基板との間または前記変換部と該変換部を搭載した前記第2の基板との間に前記開口と前記キャビティ間と連通する領域を塞ぐ音漏れ防止用接合部を備えることを特徴とするトランスデューサ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)
前のページに戻る
