特許

J-GLOBAL ID：201803006795832614

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 渡部 平司 ,  山田 高寛 ,  野▲崎▼ 幹人 ,  細井 卓治 ,  志村 考功
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 前井 宏之
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016075465
公開番号（公開出願番号）：WO2018-042541
出願日： 2016年08月31日
公開日（公表日）： 2018年03月08日
要約：

半導体装置(100)は、下地層(10)と、界面層(20)と、堆積層(30)とを備える。下地層(10)は、ガリウムを有する窒化物半導体を含む。界面層(20)は、下地層(10)に隣接する。界面層(20)は、酸化ガリウムを含む。堆積層(30)は、界面層(20)に隣接する。堆積層(30)は、界面層(20)よりもバンドギャップが大きい。界面層(20)は結晶性を有することが好ましい。界面層(20)はα相Ga2O3を有することが好ましい。

請求項（抜粋）：

ガリウムを有する窒化物半導体を含む下地層と、 前記下地層に隣接し、酸化ガリウムを含む界面層と、 前記界面層に隣接し、前記界面層よりもバンドギャップが大きい堆積層と を備える、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28

FI (6件)：

H01L29/78 652K ,  H01L21/316 M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 A

Fターム (17件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE20 ,  4M104FF02 ,  4M104GG01 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF62 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01