特許
J-GLOBAL ID:201803006814315065
基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びレシピの作成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-159327
公開番号(公開出願番号):特開2014-075574
特許番号:特許第6301083号
出願日: 2013年07月31日
公開日(公表日): 2014年04月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第1のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
前記第1のレシピを実行するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記処理室で処理される基板枚数に応じて対応付けた第1条件テーブル及び前記基板保持具及び前記処理室の内壁に堆積した累積膜厚値に応じて対応付けた第2条件テーブルとしてそれぞれ設定し、該基板枚数に応じた第1条件テーブル及び前記累積膜厚値に応じた第2条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
前記第1のレシピを実行する制御部と、
各種情報を表示する表示部と、を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記レシピ記憶部に記憶された第1のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記第1のレシピ中のプロセスパラメータを、前記パラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピ表示ステップと、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第2のレシピを作成するステップと、
前記基板保持具に搭載される基板枚数及び前記累積膜厚値が指定された場合に、前記第2のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する前記第1条件テーブル及び前記累積膜厚値に対応する前記第2条件テーブルを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第2のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた第1条件テーブル及び第2条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第3のレシピを作成するステップと、
を行う基板処理装置。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (6件)
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アクセス装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-031680
出願人:シャープ株式会社
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バッチ式熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-319673
出願人:東京エレクトロン株式会社
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-301032
出願人:国際電気株式会社
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審査官引用 (6件)
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アクセス装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-031680
出願人:シャープ株式会社
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バッチ式熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-319673
出願人:東京エレクトロン株式会社
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-301032
出願人:国際電気株式会社
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