特許
J-GLOBAL ID:201803006844082324
プラズマ処理システム、プラズマシース電圧確立方法、および当該方法を実行可能な命令を読み取り可能な記憶媒体
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
山本 秀策
, 森下 夏樹
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-529905
特許番号:特許第6329542号
出願日: 2013年08月26日
請求項(抜粋):
【請求項1】 1つ以上のプラズマシース電圧を確立する方法であって、
修正された周期的電圧関数をプラズマチャンバの基板支持部に提供することであって、前記基板支持部は、前記プラズマ内の処理のために構成されている基板に結合されており、前記修正された周期的電圧関数は、イオン補償電流Icによって修正された周期的電圧関数を含み、前記イオン補償電流Icは、前記プラズマチャンバ内のイオン電流を補償する電流であり、前記修正された周期的電圧関数は、ピーク間電圧VPPによって定義されたパルスと前記パルス間の部分とを含み、前記パルス間の前記部分の傾きは、前記イオン補償電流Icの関数である、ことと、
イオンエネルギーのユーザ選択を受信することと、
初期電力供給部電圧を設定することにより、前記修正された周期的電圧関数を生成することと、
VPPからdV0/dt*tを差し引くことによって現在のイオンエネルギーを計算することであって、dV0/dtは、前記パルス間の前記部分の傾きであり、tは、前記パルス間の時間間隔である、ことと、
前記現在のイオンエネルギーが前記イオンエネルギーの前記ユーザ選択に等しくない場合には、新たな電力供給部電圧を設定することと、
前記基板支持部の容量を少なくとも表す有効容量値C1にアクセスすることと、
前記基板の表面に到達するイオンの定義されたイオンエネルギー分布関数をもたらすことになる前記イオン補償電流Icの値を識別することであって、前記識別することは、前記有効容量値C1およびdV0/dtの関数である、ことと
を含む、方法。
IPC (5件):
H05H 1/46 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, C23C 16/505 ( 200 6.01)
, C23C 16/52 ( 200 6.01)
FI (6件):
H05H 1/46 A
, H01L 21/302 101 C
, H01L 21/302 104
, H01L 21/31 C
, C23C 16/505
, C23C 16/52
引用特許: