特許
J-GLOBAL ID：200903086602028876

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者：
小島 章弘

小島 章弘 について

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林 久貴

林 久貴 について

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宇井 明生

宇井 明生 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-239372
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071133
出願日： 2007年09月14日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】プラズマ中のイオンに基板の処理に適したエネルギーをもたせるとともに、イオンエネルギーの分散を狭帯域化させることを可能とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置の一形態であるRIE装置10Bは、基板Wを載置するRF電極11と、RF電極11と対向する対向電極12と、RF電極11と対向電極12を収容し、その内部雰囲気の調整が可能なチャンバ13と、RF電極11上の自己バイアス電圧を制御するための電圧を第1周波数f1のRF電圧のピーク-ピーク電圧のうちの略一定幅かつ略一定値により間欠的にRF電極11に印加する第1電源装置18と、RF電極11と対向電極12との間にプラズマを発生させるための第2周波数のRF電圧を、第1電源装置18から出力される電圧と同期させて間欠的にRF電極11に印加する第2電源装置19Aを具備する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
被処理基板を載置する第1電極と、 一定間隔で前記第1電極と対向するように配置された第2電極と、 前記第1,第2電極を収容し、その内部の雰囲気を調整可能に構成されたチャンバと、 前記第1電極上の自己バイアス電圧を制御するための電圧を、所定の第1周波数のRF電圧のピーク-ピーク電圧のうちの略一定幅かつ略一定値により、間欠的に前記第1電極に印加する第1電源装置と、 前記第1,第2電極間にプラズマを発生させるための所定の第2周波数のRF電圧を、連続的にまたは前記第1電源装置から出力される電圧と同期させて間欠的に、前記第1電極または前記第2電極に印加する第2電源装置と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/205 ,  C23C16/505 ,  H05H1/46 M
Fターム (20件)：
4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA05 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA37 ,  5F045AA08 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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