特許
J-GLOBAL ID：201203065167141892

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法

発明者：
沢田 郁夫

沢田 郁夫 について

, 
松隈 正明

松隈 正明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-252109
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104382
出願日： 2010年11月10日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：
【課題】プラズマ処理に応じて、適切なイオンエネルギー分布を形成できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法の提供。【解決手段】載置台2が内部に配置された真空チャンバ11と、載置台2にDCパルス電圧であるバイアス電圧を印加するDCパルス電圧発生部3と、を備える。DCパルス電圧発生部3は、イオンのエネルギー値を横軸にとり、イオンの頻度を縦軸にとったイオンエネルギー分布図において、前記DCパルス電圧の振幅値に対応してピークが現れることを利用して、前記振幅値が互に異なる複数種のDCパルス電圧を発生させ、これにより前記分布図において互に隣接するピーク同士が重なり合って重なり領域を形成するイオンエネルギー分布パターンがプラズマ処理に適切なパターンとなるように調整される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板が載置される載置部が内部に配置された真空チャンバと、 この真空チャンバ内にプラズマ処理のための処理ガスを供給するガス供給部と、 前記処理ガスに電力を供給して当該処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、 前記載置部にDCパルス電圧であるバイアス電圧を印加するバイアス電源部と、を備え、 前記バイアス電源部は、 前記イオンのエネルギー値を横軸にとり、イオンの頻度を縦軸にとったイオンエネルギー分布図において、前記DCパルス電圧の振幅値に対応してピークが現れることを利用して、前記振幅値が互に異なる複数種のDCパルス電圧を発生させ、これにより前記分布図において互に隣接するピーク同士が重なり合って重なり領域を形成するイオンエネルギー分布パターンがプラズマ処理に適切なパターンとなるように調整されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/509
FI (4件)：
H05H1/46 M ,  H01L21/302 101B ,  H01L21/205 ,  C23C16/509
Fターム (22件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030FA03 ,  4K030JA17 ,  4K030KA20 ,  4K030LA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB12 ,  5F004BB14 ,  5F004CA03 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045CA13 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20
引用特許：
審査官引用 (24件)
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