特許
J-GLOBAL ID：201803006867989149

半導体装置

発明者：
高橋 良治

高橋 良治 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-204822
公開番号（公開出願番号）：特開2015-070184
特許番号：特許第6237064号
出願日： 2013年09月30日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子が形成された素子領域と前記素子領域の周囲に配置された外周領域を有する半導体装置において、 前記素子領域及び前記外周領域に形成された第1導電型の半導体領域と、 前記外周領域の前記半導体領域中に前記素子領域を囲むリング状に形成された第2導電型の複数の柱状領域と、 少なくとも一部の前記柱状領域の上部にそれぞれ接続して前記外周領域の前記半導体領域の上面に配置された第2導電型の複数の電界緩和領域と、 前記電界緩和領域を覆って前記外周領域の前記半導体領域上に配置された絶縁膜と、 前記素子領域と前記外周領域との境界から前記外周領域の外縁に向かって隣接して配置された一対の前記電界緩和領域のうちの前記境界側の電界緩和領域と前記絶縁膜に形成された開口部で接触し、且つ、前記一対の前記電界緩和領域のうちの前記外縁側の電界緩和領域の上方に前記絶縁膜を介して到達する第1の連結フィールドプレート電極と、 前記第1の連結フィールドプレート電極の前記外縁側に隣接して配置され、前記第1の連結フィールドプレート電極が上方に到達する前記外縁側の電界緩和領域と前記絶縁膜に形成された開口部で接触し、且つ、前記外縁側の電界緩和領域よりも前記外縁側に隣接して配置された他の前記電界緩和領域の上方に前記絶縁膜を介して到達する第2の連結フィールドプレート電極と を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/06 301 D ,  H01L 29/06 301 G
引用特許：
審査官引用 (5件)
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