半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-250427
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104577
出願日： 2010年11月09日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：

【課題】高耐圧および耐圧信頼性の高い周縁耐圧構造部を量産性の高いプロセスで製造することのできる半導体装置の提供。【解決手段】素子活性部にオン状態で電流を流し、オフ状態では電圧を保持する並列pn層を有し、この並列pn層を囲む周縁耐圧構造部の並列pn層の第2導電型半導体領域の幅が前記素子活性部側の端部から外側に向かって所定の比率で狭くなっている半導体装置とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型高不純物濃度の半導体基板の表面に垂直に配向する柱状または層状の第1導電型半導体領域と第2導電型半導体領域とが、沿面方向に繰り返し交互に隣接する並列pn層を構成するとともに、オン状態で電流を流し、オフ状態では電圧を阻止するドリフト層となり、該並列pn層の表面側に、主電流を流す素子活性部を構成する表面構造と該素子活性部を取り巻く周縁耐圧構造部とを備える半導体装置において、前記周縁耐圧構造部内の並列pn層の第2導電型半導体領域の幅が前記素子活性部側の端部から外側に向かって所定の比率で狭くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06

FI (5件)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 652N , H01L29/78 652P , H01L29/06 301F , H01L29/06 301G

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-074633 出願人：株式会社東芝
電力用半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-092406 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-100338 出願人：株式会社東芝

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