特許
J-GLOBAL ID:201803007118219880

半導体マイクロワイヤあるいはナノワイヤの製造法と、当該マイクロワイヤあるいはナノワイヤを備える半導体構造、および半導体構造の製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 村山 靖彦 ,  実広 信哉 ,  阿部 達彦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-547954
特許番号:特許第6296993号
出願日: 2012年12月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】 光電気構造(10)の形成に使われる少なくとも1つの半導体マイクロワイヤあるいはナノワイヤの製造法であって、該製造法は、以下のステップ、すなわち、 -第1面と第2面(100a、100b)とを備える半導体基板(100)を準備するステップと、 -前記基板(100)の前記第1面(100a)の上にバッファ層と呼ばれる結晶層を形成するステップであって、前記バッファ層(110)は、厚さの少なくとも一部を覆って、前記第1面(100a)と接触している第1区域(110、111)を持ち、該第1区域(110、111)は主にMgxNyの窒化マグネシウムから成るステップと、 -前記バッファ層(110)の上に少なくとも1つの半導体マイクロワイヤあるいはナノワイヤ(150)を形成するステップであって、接触部分と呼ばれる、前記マイクロワイヤあるいはナノワイヤ(150)の少なくとも1つの部分(151)は主に直接バンドギャップの半導体窒化物から成り、前記部分(151)は前記バッファ層(110)と接触している前記マイクロワイヤあるいはナノワイヤ(150)の部分であるステップとを備え、 前記バッファ層(110)の形成ステップは、2nmから10nmの厚さの層を形成するステップである、製造法。
IPC (4件):
H01L 33/12 ( 201 0.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 33/06 ( 201 0.01) ,  H01L 31/10 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 33/12 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/06 ,  H01L 31/10 A
引用特許:
審査官引用 (3件)

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