不純物ドープダイヤモンド

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：田中順也 , 水谷馨也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-141305
公開番号（公開出願番号）：特開2018-012611
出願日： 2016年07月19日
公開日（公表日）： 2018年01月25日
要約：

【課題】不純物を高濃度で含んでいるにも拘わらず、結晶格子定数とベガード則による理論値とのずれが非常に小さく、電気抵抗値の小さい、不純物ドープダイヤモンドを提供する。【解決手段】ダイヤモンドに不純物がドープされている、不純物ドープダイヤモンドであって、二次イオン質量分析法で測定した不純物濃度が、5×1020cm-3以上、1×1022cm-3以下の範囲にあり、 X線構造解析に基づき下記式(1)で算出される結晶格子歪み(Δa/a)は、ベガード則に基づく結晶格子歪みからのずれが、100ppm以内である、不純物ドープダイヤモンド。結晶格子歪み(Δa/a)=(adoped-aref)/aref×100(%) (1)adoped:不純物ドープダイヤモンドの格子定数aref:ダイヤモンド標準試料の格子定数(3.567Å)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドに不純物がドープされている、不純物ドープダイヤモンドであって、二次イオン質量分析法で測定した不純物濃度が、5×1020cm-3以上、1×1022cm-3以下の範囲にあり、 X線構造解析に基づき下記式(1)で算出される結晶格子歪み(Δa/a)は、ベガード則に基づく結晶格子歪みからのずれが、100ppm以内である、不純物ドープダイヤモンド。結晶格子歪み(Δa/a)=(adoped-aref)/aref×100(%) (1) adoped:不純物ドープダイヤモンドの格子定数 aref:ダイヤモンド標準試料の格子定数(3.567Å)

IPC (4件)：

C30B 29/04 , H01L 21/205 , C23C 16/27 , C01B 32/25

FI (4件)：

C30B29/04 G , H01L21/205 , C23C16/27 , C01B31/06 Z

Fターム (55件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB07 , 4G077BA03 , 4G077DB21 , 4G077EB01 , 4G077HA05 , 4G077TB01 , 4G077TC02 , 4G146AA04 , 4G146AA15 , 4G146AA17 , 4G146AB07 , 4G146AC01A , 4G146AC01B , 4G146AC11A , 4G146AC11B , 4G146AC20B , 4G146AC27A , 4G146AC27B , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC25 , 4G146BC27 , 4G146BC34B , 4G146BC38B , 4G146BC45 , 4G146BC47 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030AA20 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA17 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 5F045AB07 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045DA59

引用特許：

審査官引用 (2件)

導電性ダイヤモンド及び導電性ダイヤモンド形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-183292 出願人：住友電気工業株式会社
合成ダイヤモンドを生成するためのシステム及び方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-519552 出願人：アポロダイアモンド,インコーポレイティド

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