特許
J-GLOBAL ID：201803007865395833

近接効果補正方法、近接効果補正プログラム及び近接効果補正装置

発明者：
合田 歩美

合田 歩美 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-200099
公開番号（公開出願番号）：特開2015-069983
特許番号：特許第6286987号
出願日： 2013年09月26日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成されたレジスト膜にパターンデザインを描画して、ベークし、現像する荷電粒子リソグラフィに関し、描画位置や描画面積に依存する後方散乱量を求め、その後方散乱量を近似関数で表し、当該近似関数を使って近接効果補正量を取得する、近接効果補正装置であって、 描画パターンデザインの情報、シミュレーションで後方散乱量を求めるための基板やレジスト膜厚、荷電粒子の条件などの情報が入力される入力部と、 基板上に形成したレジスト上の1点に荷電粒子を入射したときに得られるレジスト内蓄積エネルギー分布(EID関数)を取得する、後方散乱量取得部と、 前記EID関数に適切な近似関数を適合することで後方散乱量と広がりを関数補間する近似関数取得部と、 位置Xj,Yjにおける描画図形の最適な近接効果補正量を、前記近似関数を使って算出する、位置Xj,Yjにおける近接効果補正量取得部と、 前記近接効果補正量と前記描画パターンデザインと前記近似関数を使って全ての図形の近接効果補正量を算出する、全ての図形における近接効果補正量取得部と、 取得した全ての図形の近接効果補正量を反映して位置Xj、Yjの近接効果補正量を再度算出する、近接効果補正量再取得部と、 前記近接効果補正量再取得部で算出された近接効果補正量と、前記位置Xj,Yjにおける近接効果補正量取得部で算出された近接効果補正量の差分をとり、その差分が許容の範囲内か否かを判断し、判断が否定の場合は前記近接効果補正量再取得部で算出された近接効果補正量を前記全ての図形における近接効果補正量取得部に入力し、判断が肯定の場合には前記近接効果補正量再取得部で算出された近接効果補正量を出力部に入力する判断部と、 前記判断部から入力した近接効果補正量を前記描画パターンデザインの情報と共に出力する出力部と、 を備えることを特徴とする、近接効果補正装置。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  G03F 7/20 ( 200 6.01) ,  H01J 37/305 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/30 541 M ,  H01L 21/30 541 E ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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